Atualmente, uma das mais importantes aplicações tecnológicas da corrosão por plasma em semicondutores é permitir a fabricação do silício (Si) suspenso e partes móveis que compõem um sistema microeletromecânico (MEMS). A formação dessas estruturas tridimensionais requer processos de corrosão com alta velocidade de corrosão, boa anisotropia, baixos danos a superfície e seletividade química em relação a outros materiais. Neste trabalho foram realizadas corrosões de Si em estruturas de linhas por jato de plasma onde a potência de radiofrequência foi fixada em 150 W, pressão em 3,2 mTorr e o campo magnético de confinamento do jato de plasma em 6 mT, para todas as amostras utilizando dois tipos de misturas de gases: SF6/O2 ou CF4/O2. A escolha de gases fluorados é devido à alta afinidade entre o flúor atômico e os átomos do silício. Uma combinação de diagnóstico do plasma por espectroscopia óptica de emissão e de técnicas de caracterização das amostras corroídas, como perfilometria óptica, microscopia eletrônica de varredura (MEV) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS), foi utilizada para investigar a morfologia e química do silício corroído a fim de estabelecer as melhores condições experimentais para obtenção de elevadas taxas de corrosão e controle do perfil corroído no substrato de Si. Os resultados experimentais do processo de corrosão utilizando jato de plasma de SF6 indicam taxas de corrosões entre (1,05-1,53) µm/min e de CF4 entre (0,18-0,54) µm/min para diferentes distâncias axiais entre o substrato e o inicio do jato de plasma e concentrações de oxigênio. As condições cujo perfil de corrosão apresentou maior anisotropia foram às corroídas com CF4. Com relação à análise química da superfície do silício corroído foi possível identificar elementos da superfície da amostra como F, C, N e O, bem como suas respectivas ligações com o Si.